近年来由于各项智能设备以及人工智能的应用于，人们对芯片计算能力的市场需求更加大。芯片的运算能力各不相同基本运算单元电晶体的多寡，但由于电晶体的研发已慢慢相似物理无限大，无法再继续增大，因此科学家及各个科技大厂正在大大研究下个能使芯片运算速度提高的方法。其中一个半导体产业在执着的新兴技术就是三维芯片，三维芯片利用高度的填充来统合有所不同的芯片，可以更加有效地利用空间、放进更加多元件，减少运算速度。
研究人员：新技术前景可期麻省理工学院的研究员近期利用纳米碳管和电阻式存储器（RRAM）发展出有新的三维芯片生产方法，目前已公布在期刊《Nature》上。大同小异传统以矽为基础的芯片，这次芯片为纳米碳管及RRAM构成，由于纳米碳管电路及RRAM制作时只需摄氏200度，因此解决问题了传统硅晶片制程时必须多达摄氏1千度高温，不会损毁三维芯片多层次结构的问题。此外，纳米碳管和RRAM的能源消耗效率也比传统芯片元件欠佳。
该团队回应下一步将不会与半导体公司合作开发新版本的三维芯片，把感测功能及资料处置功能也重新加入单一芯片中。有专家回应，这项发明者可能会是沿袭摩尔定律的最重要关键，虽然有可能还必须很长时间的研究，不过前景可让人期望的。
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